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晶振廠家
進(jìn)口晶振
歐美晶振
臺產(chǎn)晶振
Tel:0755-27838351
Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
Email:konuaer@163.com
QQ:632862232
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- 編號：66233728
- 頻率：8~1500MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.2mm
suntsu晶振,SQV53C晶振,VCXO晶振
壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,CMOS輸出,輸出頻率8MHz到1500MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.
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suntsu晶振,SQV53C晶振,VCXO晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
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貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
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在接下來的三年中,我們的產(chǎn)品線迅速增長.我們從專注于超小型晶體和TCXO開始,到提供各種低噪聲振蕩器和VCXO.2007年,我們進(jìn)一步擴展了我們的產(chǎn)品線,包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO,以滿足基站和軍事通信設(shè)備應(yīng)用等需要耐高溫晶振的最高頻率穩(wěn)定性的需求.
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| 型號 | 符號 | SQV53C |
| WC | - | CMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 8~1500MHz |
| 電源電壓 | VCC | +2.5V，+3.3V |
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頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±20ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口普通有源晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用5032晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
SUNTSU晶振集團認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去SUNTSU晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).
美國SUNTSU進(jìn)口晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
SUNTSU晶振集團將:不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.
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