愛(ài)普生有源振蕩器適用于范圍廣環(huán)境條件X1G005581007300,愛(ài)普生公司是一家世界級(jí)一流的知名制造商，通過(guò)自身的實(shí)力，打造極其具有核心價(jià)值的產(chǎn)品線，隨著自身實(shí)力不斷強(qiáng)大，愛(ài)普生公司推出了SG-8018CB晶振，編碼X1G005581007300，愛(ài)普生晶振的SG-8018系列是可編程晶體振蕩器系列CMOS輸出。這個(gè)系列提供了頻率和其他參數(shù)的可編程性SG-8002/SG-8003系列，它們也具有更廣泛的工作溫度范圍，最高極限為105°C。除了2.5 × 2.0 mm的封裝，將使電子制造商節(jié)省板空間，該振蕩器也將在以下流行的封裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振蕩器的頻率容忍度約為66%比同類(lèi)產(chǎn)品低50%的電流消耗，適用范圍廣環(huán)境條件。這也將大大有助于性能，更低的功率要求，快速開(kāi)發(fā)周期和低量生產(chǎn)。

Product Number	SPXO有源晶振型號(hào)	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581005800	SG-8018CB	33.333300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005900	SG-8018CB	70.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006000	SG-8018CB	44.967000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006100	SG-8018CB	57.143000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006200	SG-8018CB	22.222200 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006300	SG-8018CB	66.667000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006400	SG-8018CB	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006500	SG-8018CB	6.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006600	SG-8018CB	1.843200 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006700	SG-8018CB	80.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006800	SG-8018CB	26.600000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006900	SG-8018CB	13.560000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007000	SG-8018CB	2.048000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007100	SG-8018CB	1.843200 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007200	SG-8018CB	33.333000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007300	SG-8018CB	64.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007400	SG-8018CB	7.372800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007600	SG-8018CB	80.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007700	SG-8018CB	32.768000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007800	SG-8018CB	12.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581007900	SG-8018CB	16.666600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581008000	SG-8018CB	3.680000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581008100	SG-8018CB	28.636300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

愛(ài)普生有源振蕩器適用于范圍廣環(huán)境條件X1G005581007300,有源晶振被稱(chēng)之為振蕩器，無(wú)源晶振和有源晶振的區(qū)別體現(xiàn)在有源晶振可以通過(guò)自身產(chǎn)生震蕩， 不要依靠外部電路，這是因?yàn)樽陨斫Y(jié)構(gòu)內(nèi)部有振蕩片。有源晶振是通過(guò)石英晶體加振蕩片 組合而成的。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器， 確保獲得高質(zhì)量和穩(wěn)定的信號(hào) ， 并且在連接方式上更加的簡(jiǎn)單 ，簡(jiǎn)單的 配置電路即可 。 當(dāng)然也是存在一定缺陷的，與無(wú)源晶振相比，有源晶振信號(hào)電平 幾乎是不變的，價(jià)格方面也會(huì)更高。

比起普通的晶體諧振器,有源晶振技術(shù)要求更高,起振性能更穩(wěn)定,一般都是用在高端的產(chǎn)品身上,大致分為普通振蕩器SPXO，TCXO溫補(bǔ)晶振TCXO，VCXO壓控晶振，VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振，OCXO恒溫晶振，差分晶振等。每種石英晶體振蕩器都具備不一樣的功能,但同樣擁有低功耗，低電壓電流，低相位抖動(dòng)，低相噪等優(yōu)異特性。